Panneau en céramique de carbure de silicium

Introduction

Le panneau céramique en carbure de silicium utilisé pour la cuisson de la porcelaine générale et des produits céramiques (température inférieure à 1 450 degrés), est fabriqué en SiC lié par de l'oxyde de silicium (Si2O3) et techniquement appelé "carbure de silicium lié à l'oxyde".

Paramètre technique

Avantage du produit

Ce réfractaire SiC a une conductivité thermique très élevée (presque 10 fois supérieure à celle du réfractaire mullite) et un taux de rayonnement infrarouge à grande longueur d'onde élevé qui apportent une efficacité thermique très élevée aux produits.
En termes de performances de coût pour la cuisson de la porcelaine générale et des produits céramiques, ce SiC lié à l'oxyde est le réfractaire le plus précieux et le plus approprié. La température de service maximale recommandée de notre plaque SiC (O-SiC) est de 1 450 degrés.

Équipement de production

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