Sep 06, 2019 Laisser un message

Classification et frittage du carbure de silicium

Classification du carbure de silicium fritté:

(1) frittage sans pression (2) frittage par pressage à chaud (3) frittage à réaction

Comparaison de trois méthodes de frittage courantes:

1. Frittage par pressage à chaud: seules des pièces en carbure de silicium de formes simples peuvent être préparées. Leur efficacité de production est faible et elles ne sont pas propices à une production commerciale à grande échelle.

2. Frittage sans pression (frittage à pression normale): il s'agit d'un procédé de frittage largement accepté et avantageux, capable de produire des formes complexes et des pièces en carbure de silicium de grande taille.

3. Frittage par réaction: Il est possible de préparer des pièces en carbure de silicium avec des formes compliquées et la température de frittage est basse, mais les performances à haute température du produit ne sont pas bonnes.

Caractéristiques: Si le Si complet est autorisé, alors le matériau avec une porosité nulle et aucun changement géométrique ne peut être obtenu dans l'ensemble du processus.

Dans la production réelle, le corps vert devrait avoir des pores excessifs pour empêcher la formation de la couche de SiC imperméable aux gaz due au premier processus d'infiltration, empêchant ainsi la poursuite du frittage de la réaction. Les pores en excès dans le processus de frittage de la réaction sont excessifs. Le Si est rempli pour obtenir un produit dense non poreux.

Les trois types de méthodes de frittage de la céramique SiC ont leurs propres avantages, mais aujourd'hui, avec le développement rapide de la technologie,

Il existe un besoin urgent d'améliorer les performances des céramiques SiC, d'améliorer continuellement les technologies de fabrication, de réduire les coûts de production et de réaliser du SiC.

Frittage de la céramique à basse température. Afin de réduire la consommation d'énergie, de réduire les coûts de production et de promouvoir l'industrialisation des produits en céramique SiC.

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